微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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ゲート長やゲート・ドレイン間距離が比較的短いフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの2次元数値解析を行い,耐圧特性について検討した.その結果,バッファ層内のアクセプタ濃度が高い場合,耐圧はキャリアの衝突イオン化により決まり,フィールドプレート長増加と共に耐圧は逆に低下することが示された.これはフィールドプレート端とドレイン間距離が短くなり,そこの電界が非常に高くなるためである.一方,バッファ層内アクセプタ濃度が低い場合,バッファ層リーク電流が非常に大きくなってこれが耐圧を決め,耐圧は非常に低くなることが示された.この場合,フィールドプレート長増加と共に耐圧は増大した.
- 2012-01-04
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