キンク現象を伴うGaAs MESFETの2次元定常および過渡シミュレーション
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概要
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GaAsMESFETのキンク現象に与える表面準位の影響を2次元シミュレーションにより調べた。衝突イオン化による正孔発生とそれに引き続く表面準位の正孔捕獲に起因した空間電荷効果によりキンクが生じうることか示された。表面準位の性質の違いが電位分布に大きな影響を与え、電流急上昇のドレイン電圧が変化する。過渡解析あるいは動的解析の結果より、トラップに起因したキンクがかなり遅い現象であることが示された。基板内トラップに起因したキンクの動的挙動についても調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-26
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