絶縁外部コレクタを有するHBTのキャリアブロッキング効果とコレクタアップHBTの設計指針
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概要
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外部コレクタが完全な絶縁物からなるAlGaAs, GaAsHBTの遮断周波数特性を2次元シミュレーションし、半絶縁外部コレクタを有する場合および通常のn-外部コレクタを有する場合と比較検討した。その結果、外部コレクタが完全な絶縁物の場合、エミッタからベースに注入された少数キャリアの一部がブロックされて外部ベース中にたまり、実効的なベース遅延時間を増大させ遮断周波数を著しく劣化させうることを見いだした。この現象に関連し、コレクタ・アップHBTのシミュレーションを行い、その設計指針について検討した。実効的なエミッタ幅がコレクタ幅より狭くなるよう設計すべきと結論された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-17
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