リセスゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグとブレークダウン特性との相関の解析
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概要
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表面準位とキャリアの衝突イオン化を考慮したリセスゲート構造GaAs MESFETの2次元数値解析を行い, ブレークダウン特性の表面準位パラメータ及びリセス構造依存性を調べると共に, ゲートラグに与える衝突イオン化の影響及びそのリセス構造依存性を調べた。その結果, ゲートラグが顕著となる型の表面準位を有する場合, リセス導入によりゲートラグが軽減されるものの, 逆にブレークダウン電圧が低くなることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-09
著者
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