AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの2次元過渡解析を行い,ゲートフィールドプレートの導入や裏面電極の付加がバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与える影響について調べた.その結果,アクセプタ濃度が高い場合,ゲートフィールドプレートの導入がラグ現象や電流コラプスの低減に効果的であることが示された.一方,アクセプタ濃度が比較的低い場合には裏面電極の存在がドレインラグや電流コラプスの軽減に効果的であることが示された.これは,バッファ層裏面の電位が固定されると,チャネル・バッファ層界面のバリアが高く保たれ,バッファ層中への電流注入が抑えられてトラッピング効果が軽減されるためと解釈された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-01-06
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