AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの2次元過渡解析を行い,その結果より模擬的なパルスI-V特性を求めた.ドレイン電圧を急激に上げると,電子がバッファ層中に注入され深いドナーに捕獲される.またドレイン電圧を急激に下げると,ドレイン電流はしばらく定常状態より低い値に留まり,深いドナーが電子を放出するとともに緩やかに上昇するというドレインラグを示した.バッファ層中の深い不純物の影響でゲートラグも起こりうり,それはAlGaN/GaN HEMTにおける比較的高いソース抵抗と相関があることが示唆された.電流コラプスはバッファ層内のアクセプタ濃度が高い程,またオフ状態のドレイン電圧が高い程トラップ効果が大きくなるため顕著になった.ドレインラグはオフ状態のドレイン電圧が高いとき電流コラプスの主要な要因となりうることが示された.AlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスを軽減するにはバッファ層中のアクセプタ濃度を低くすべきと結論された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-04
著者
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