板垣 圭一 | 芝浦工業大学システム工学部

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概要

• 同名の論文著者
• 芝浦工業大学システム工学部の論文著者

関連著者

• 堀尾 和重

  芝浦工業大学システム工学部

• 板垣 圭一

  芝浦工業大学システム工学部

• 中島 敦

  芝浦工業大学システム工学部

• 高柳 大樹

  芝浦工業大学システム工学部

• 仲野 博之

  芝浦工業大学システム工学部

• 小林 功泰

  芝浦工業大学システム工学部

• 岩本 渉

  芝浦工業大学システム工学部

著作論文

• AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-3 フィールドプレートAlGaN/GaN HEMTのラグ現象と電流コラプスの2次元解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• GaN系FETのバッファ層に起因した電流コラプスに与えるフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• GaN系FETのバッファ層に起因した電流コラプスに与えるフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-13 GaN FETの電流スランプとゲートラグのゲート長及びトラップパラメータ依存性(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-12 GaN系HEMTとMESFETにおけるラグ現象や電流スランプの類似性について(C-10.電子デバイス,一般講演)
• GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

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