レイアウト依存効果を考慮したGPモデルによるCMOSオペアンプ回路合成手法(レイアウト設計,物理設計及び一般)
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概要
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本論文では、幾何的計画法に基づく超微細プロセスにおけるCMOSアナログ回路合成手法にについて述べる。プロセスの微細化が進むにつれて、チャネル長変調λ、さらにSTIストレスやウェル近接効果(WPE)などのレイアウト依存効果の考慮が重要になってきている。STIは隣接するMOSFET素子を電気的に分離するために用いられる技術であるが、それはキャリア移動度へ影響を与えるストレスの原因となる。また、WPEはウェルの境界近傍の素子特性にばらつきが生じる現象である。この論文では、λを考慮し、かつBSIMモデルの記述に基づきSTIストレスとWPEの影響の曲線近似を利用してポジノミアル(posynomial)モデルとして定式化する。典型的なCMOSオペアンプの設計事例において、これらのレイアウト依存効果を考慮したモデルを用いて、幾何的計画法による回路の最適化を行った。シミュレーションによる検証では、最適化された回路はすべての仕様を満たしていることが確認された。
- 2011-09-19
著者
-
李 静
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
董 青
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
楊 波
北九州市立大学国際環境工学部情報メディア工学科
-
中武 繁寿
北九州市立大学 大学院 国際環境工学研究科
-
董 青
北九州市立大学大学院 国際環境工学研究科
-
中武 繁寿
北九州市立大学国際環境工学部
-
楊 波
北九州市立大学国際環境工学部
-
李 静
北九州市立大学国際環境工学部
-
董 青
北九州市立大学国際環境工学部
-
陳 功
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
張 宇
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
陳 功
北九州市立大学大学院国際環境研究科
-
中武 繁寿
北九州市立大学
-
張 宇
北九州市立大学大学院 国際環境研究科
-
陳 功
北九州市立大学大学院 国際環境研究科
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