MOSトランジスタ特性の距離/空間ばらつきにおけるレイアウト構造依存性の解析(物理設計,デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地-)
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概要
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本研究は、MOSトランジスタ特性における製造ばらつきの対する拡散共有/分離、ゲート分割などのレイアウト構造の依存性に関して調査する。具体的には、90nm製造プロセスにおいてTEGを開発、評価し、チップ上に7×7ユニットで配置したMOSトランジスタのしきい値電圧(Vth)の実測値から距離と空間に依存するばらつき要素を抽出し、それらのレイアウト構造依存性との相関について解析、考察を行った。
- 2009-11-25
著者
-
中武 繁寿
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
佐土平 裕一
北九州市立大学国際環境工学研究科
-
中武 繁寿
北九州市立大学 大学院 国際環境工学研究科
-
中武 繁寿
北九州市立大学国際環境工学部情報メディア工学科
-
中武 繁寿
北九州市立大学国際環境工学部
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