CMOSナノワットBGR回路のプロセス移行の制約再利用に関する考察(低電力設計,システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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本論文は、CMOS製造プロセスにおいて低消費電力アナログ回路を移行設計するための制約再利用方法を提供する。再利用方法の一般化は困難であるため、まず抵抗素子を含まず閾値電圧以下で動作するMOSFETを伴うナノワットBGR回路を移行設計のための題材として用いる。移行の前後で参照電流と参照電圧を同時に保持するための制約を導入し、180nm/1.8Vプロセスから90nm/1.2V,2.5V,3.3Vのプロセスへそれぞれ移行設計した事例を紹介する。シミュレーション結果において、我々の導入した制約は低電圧プロセスにおいても設計要求を満たすことを確認した。
- 2011-02-23
著者
-
李 静
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
董 青
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
楊 波
北九州市立大学国際環境工学部情報メディア工学科
-
中武 繁寿
北九州市立大学 大学院 国際環境工学研究科
-
董 青
北九州市立大学大学院 国際環境工学研究科
-
中武 繁寿
北九州市立大学国際環境工学部
-
楊 波
北九州市立大学国際環境工学部
-
李 静
北九州市立大学国際環境工学部
-
董 青
北九州市立大学国際環境工学部
-
陳 功
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
陰 徳龍
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
陳 功
北九州市立大学大学院国際環境研究科
-
中武 繁寿
北九州市立大学
-
陳 功
北九州市立大学大学院 国際環境研究科
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