MOSトランジスタの耐ばらつきチャンネル分割に関する考察(製造性考慮設計,システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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本研究では、規則バルク構造に基づくMOSアナログレイアウト自動設計方式の確立を目標として、短チャネル長/幅のトランジスタ集合への分割方法を扱う。90nm製造プロセスにおけるMOSトランジスタ特性評価回路が搭載したTEG(Test Element Group)を開発し、チャネル長(L)分割、チャネル幅(W)分割、拡散共有・分離など、多様なレイアウト構造を持つMOSトランジスタのDC特性を考察する。また、これらのレイアウト構造に依存する製造ばらつきにも着目し、レイアウト面積とのトレードオフを考慮した総合評価を行い、製造ばらつきを抑制できるチャネル分割方法のガイドラインを示す。
- 2010-03-03
著者
-
中武 繁寿
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
劉 博
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
越智 敦
北九州市立大学大学院国際環境工学研究科
-
中武 繁寿
北九州市立大学 大学院 国際環境工学研究科
-
中武 繁寿
北九州市立大学国際環境工学部情報メディア工学科
-
中武 繁寿
北九州市立大学国際環境工学部
-
劉 博
北九州市立大学大学院 国際環境工学研究科
-
中武 繁寿
北九州市立大学
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