Josephson-CMOSハイブリッドメモリ用低温CMOS増幅器の評価(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
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概要
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我々は高速性を持つSFQ回路と高集積性を持つCMOS回路を組み合わせたJosephson-CMOSハイブリッドメモリシステムの研究を行っている。ハイブリッドシステムでは、数十mVのSFQ信号を数Vまで増幅させるインターフェース回路が重要な要素である。インターフェース回路を構成する回路の一つが低温CMOS増幅器である。今回、低温CMOS増幅器として、cascaded amplifier,single-end source-follower amplifier,self-biased source-follower amplifierの3種類を提案する。すべての低温CMOS増幅器はRhom 0.18μmプロセスの低温デバイスモデルを用いてシミュレーションを行った。3種類の低温CMOS増幅器についてシミュレーションによりそれぞれの動作周波数、消費電力、バイアスマージン、遅延時間などを調べて比較した。また、3種類の低温CMOS増幅器を試作し実験を行った結果、すべての増幅器の正常動作を確認した。実験結果よりself-biased source-follower amolifierの性能が最も優れていたのでその結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-10-05
著者
-
陳 賢珠
横浜国立大学大学院工学府
-
山梨 裕希
横浜国立大学大学院工学府
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院工学府
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院:crest-jst
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院 工学府
-
吉川 信行
横浜国立大学:jst-crest
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院工学研究院
-
吉川 信行
横浜国大工
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院 工学研究院
-
Yoshikawa N
Yokohama National Univ. Yokohama Jpn
-
山梨 裕希
横浜国立大学工学府
-
山梨 祐希
横浜国立大学大学院工学府
-
山梨 祐希
横浜国立大学工学部
-
吉川 信行
横浜国立大学 工学部 電子情報工学科
-
桑原 啓太
横浜国立大学工学府
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