Characterization of High Q Transmission Line Structure for Advanced CMOS Processes(Passive Circuits/Components,<Special Section>Emerging Microwave Techniques)
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概要
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A new transmission line structure is presented in this work for advanced CMOS processes. This structure has a high quality factor and low attenuation. It allows slow-waves to propagate which results in low dispersion for a given characteristic impedance. It is also designed to satisfy the stringent density requirements of advanced CMOS processes. A model is developed to characterize this structure by analyzing the physical current flowing in the substrate and the shield structure. Test structures were fabricated using CMOS 90nm process technology with measurements made up to 110GHz using a transmission-reflection module on a network analyzer. The results correspond well to the proposed model.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-01
著者
-
藤島 実
東京大学工学部
-
Lai Ivan
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
-
Fujishima M
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
Fujishima Minoru
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
-
Fujishima Minoru
School Of Engineering The University Of Tokyo
-
Fujishima Minoru
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo:school Of Engineering The University Of Tokyo
-
Tanimoto Hideyuki
School Of Engineering The University Of Tokyo
-
Fujishima Minoru
Hiroshima University
-
Fujishima Minoru
Department Of Information And Communication Engineering University Of Tokyo
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