厚膜酸化プロセスを用いたインダクタの特性評価(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
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概要
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RF集積回路に用いられるインダクタの損失の低減は、回路の特性向上に大きく貢献する。インダクタの下に20μm以上の酸化膜を有するプロセスを用いることで、インダクタの自己共振周波数を減少させることかくインダクタの特性向上が可能となる。我々は、20μmの酸化膜を有するインダクタを試作、評価した。等価回路モデルを用いた検討結果を通じ、厚膜酸化プロセス固有の特性を明らかにする。
- 2003-09-05
著者
-
藤島 実
東京大学大学院新額域創成科学研究科
-
鶴田 和弘
株式会社デンソー基礎研究所
-
藤島 実
東京大学大学院工学系研究科
-
藤島 実
東京大学大学院工学系研究科:東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
藤島 実
東京大学工学部
-
鶴田 和弘
株式会社デンソー
-
木野 順
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
木野 順
東京大学大学院新領域創成科学研究科:(現)新日鉄ソリューションズ
-
Fujishima Minoru
Hiroshima University
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