Fujishima Minoru | Hiroshima University
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概要
関連著者
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Fujishima Minoru
Hiroshima University
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藤島 実
東京大学工学部
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藤島 実
東京大学大学院工学系研究科:東京大学大学院新領域創成科学研究科
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藤島 実
東京大学大学院新額域創成科学研究科
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Fujishima Minoru
Department Of Information And Communication Engineering University Of Tokyo
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Fujishima M
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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Fujishima Minoru
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
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藤島 実
東京大学大学院工学系研究科
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Fujishima Minoru
School Of Engineering The University Of Tokyo
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Fujishima Minoru
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo:school Of Engineering The University Of Tokyo
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Fujishima Minoru
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
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Fujishima Minoru
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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Fujishima Minoru
Department Of Electronic Engineering The Universtty Of Tokyo
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Fujishima Minoru
Department Of Electronic Engineering The University Of Tokyo
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FUJISHIMA Minoru
School of Frontier Sciences, the University of Tokyo
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藤島 実
東京大学新領域創成科学研究科:東京大学工学系研究科
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本良 瑞樹
東京大学大学院工学系研究科
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藤島 実
東京大学新領域創成科学研究科
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山本 憲
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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乗松 崇泰
東京大学新領域創成科学研究科
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鶴田 和弘
株式会社デンソー基礎研究所
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鶴田 和弘
株式会社デンソー
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Lai Ivan
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
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木野 順
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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木野 順
東京大学大学院新領域創成科学研究科:(現)新日鉄ソリューションズ
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鳳 紘一郎
東京大学新領域創成科学研究科
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山本 憲
東京大学新領域創成科学研究科
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神林 裕樹
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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藤島 実
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
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バダラワ ワサンタマーラー
東京大学大学院工学系研究科
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王 〓
東京大学大学院新頚城創成科学研究科
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FUJISHIMA Minoru
School of Engineering, The University of Tokyo
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Takano Kyoya
Univ. Tokyo Kashiwa‐shi Jpn
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谷本 英之
東京大学大学院工学系研究科
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小林 直樹
東京大学大学院理学系研究科
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高野 恭弥
東京大学大学院工学系研究科
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鳳 紘一郎
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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鳳 紘一郎
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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北荘 哲郎
東京大学新領域創成科学研究科基盤情報学専攻
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稲井 健人
東京大学新領域創成科学研究科基盤情報学専攻
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石橋 浩二
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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北荘 哲郎
東京大学新領域創成科学研究科
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LAI Ivan
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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稲井 健人
東京大学新領域創成科学研究科
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オンチュ アーメット
東京大学 新領域創成科学研究科
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王 〓
東京大学 新領域創成科学研究科
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バダラワ ワサンタマーラー
東京大学 新領域創成科学研究科
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TAKANO Kyoya
School of Engineering, The University of Tokyo
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Takano Kyoya
School Of Engineering The University Of Tokyo
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金子 暁彦
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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Motoyoshi Mizuki
School Of Engineering The University Of Tokyo
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小林 直樹
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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Tanimoto Hideyuki
School Of Engineering The University Of Tokyo
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Goto Yosuke
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
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Fujishima Minoru
Hiroshima Univ.
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小林 直樹
東京大学大学院情報理工学系研究科
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王 〓
東京大学大学院
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斉藤 康祐
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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乗松 崇泰
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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渡辺 宏樹
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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王 寧一
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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Fujimoto Ryuichi
Semiconductor Company Toshiba Corp.
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片山 光亮
広島大学大学院工学研究科
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藤島 実
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大橋 翔
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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ワサンタマーラー バダラワ
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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斉藤 康祐
東京大学大学院新領域創成科学研究科基盤情報学
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Ishibashi Koji
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
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Lai C.
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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Lai Ivan
東京大学新領域科学研究科
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新山 太郎
東京大学
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Iizuka Kunihiko
Sharp
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MITSUNAKA Takeshi
SHARP
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新山 太郎
東京大学 工学部
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FUJISHIMA Minoru
Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo
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MOTOYOSHI Mizuki
School of Engineering, the University of Tokyo
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Iizuka Kunihiko
Sharp Corporation
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Lim SeongWoong
School of Frontier Sciences, The University of Tokyo
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Sasaki Masato
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
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Lim Seongwoong
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
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MANZAWA Yasuo
School of Frontier Sciences, The University of Tokyo
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Manzawa Yasuo
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
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TANIMOTO Hideyuki
School of Frontier Sciences, The University of Tokyo
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GOTO Yosuke
School of Frontier Sciences, The University of Tokyo
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Tanimoto Hideyuki
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
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FUJIMOTO Ryuichi
ELP R&D Dept. Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC)
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TAKANO Kyoya
Graduate School of Engineering, The University of Tokyo
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MOTOYOSHI Mizuki
Graduate School of Engineering, The University of Tokyo
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YODPRASIT Uroschanit
Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
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Yodprasit Uroschanit
Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University
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Motoyoshi Mizuki
Graduate School Of Engineering The University Of Tokyo
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KAI Koji
Panasonic
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SHIMURA Masahiro
School of Engineering, The University of Tokyo
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Shimura Masahiro
School Of Engineering The University Of Tokyo
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Takano Kyoya
Graduate School Of Engineering The University Of Tokyo
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Fujimoto Ryuichi
Elp R&d Dept. Semiconductor Technol. Academic Res. Center (starc)
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Fujimoto Ryuichi
Elp R&d Dept. Semiconductor Technology Academic Research Center (starc)
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中島 佑樹
広島大学工学部
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本良 瑞樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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高野 恭弥
広島大学大学院先端物質科学研究科
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Fujishima Minoru
Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University
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片山 光亮
広島大学大学院先端物質科学研究科
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Lim Seong
School of Frontier Sciences, The University of Tokyo
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MOTOYOSHI Mizuki
Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
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TAKANO Kyoya
Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
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KISHINO Yusuke
SHARP Corporation
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YAMANOUE Masafumi
SHARP Corporation
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MITSUNAKA Takeshi
SHARP Corporation
著作論文
- C-12-13 4.8GHz CMOSパルス注入同期型周波数逓信器(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
- 7%のチューニングレンジを持つ76GHzCMOS電圧制御発振器(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- C-12-21 58.8/39.2GHzデュアルモードCMOS周波数分周器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- インピーダンスバランス法を用いたオンチップインダクタの評価(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
- インピーダンスバランス法を用いたオンチップインダクタの評価
- 7%のチューニングレンジを持つ76GHz CMOS電圧制御発振器 (情報センシング)
- C-12-15 CMOSミリ波低雑音増幅器の設計フロー(増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
- インピーダンスバランス法を用いたオンチップインダクタの評価(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
- SC-11-19 専用プロセッサを用いた大規模量子計算シミュレーション(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
- SC-11-18 量子計算アルゴリズムの開発に適したLSIプロセッサの試作(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
- C-12-6 NP 問題を高速に解く二分探索機能を持つ並列プロセッサ
- C-2-21 リングオシレータを用いた 1/2 周波数分周器
- C-12-30 スケール依存を考慮したMOSFETの基板抵抗モデル(C-12.集積回路C(アナログ))
- 厚膜酸化プロセスを用いた低消費電力無線通信回路
- C-12-13 5GHz 帯向け MOSFET の基板回路網モデル
- 厚膜酸化プロセスを用いた低消費電力無線通信回路(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- C-12-38 厚膜酸化層を用いたシリコン高周波 IC : 電圧制御発振回路の低消費電力化
- シールドつきMIMキャパシタに対する鏡像効果を考慮したスケーラブルモデル(無線/画像処理,システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- シールドつきMIMキャパシタに対する鏡像効果を考慮したスケーラブルモデル(無線/画像処理,システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- C-11-3 形状依存を考慮した110GHzまでのMOSFETのモデリング(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-12-26 デュアルピーク電圧制御発振器の試作と解析(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 20-26GHz低消費電力CMOSアップコンバージョンミキサ(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
- 20-26GHz低消費電力CMOSアップコンバージョンミキサ
- オンチップ伝送線路を用いたフィルタの自動設計(アナログ回路技術ショートノート-アナログ回路技術の創造と伝承を目指して-)
- C-12-10 オンチップ伝送線路を用いたフィルタの自動設計(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-14 CMOS注入同期用直交出力電圧制御発振器(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
- 60GHz CMOSパルス発生器(学生・若手研究会)
- C-12-61 60GHz高利得電流駆動受動CMOSミキサ(C-12. 集積回路AC(RFモデリング),一般セッション)
- CT-1-3 ミリ波CMOS(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- C-12-22 60GHz CMOSパルス発生器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- インピーダンスマッチング機能付きCMOSオンチップラットレースバラン(無線/画像処理,システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- インピーダンスマッチング機能付きCMOSオンチップラットレースバラン(無線/画像処理,システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 90nm CMOSを用いた22-29GHz UWBレーダ用パルスジェネレータ
- 90nm CMOSを用いた22-29GHz UWBレーダ用パルスジェネレータ(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 3.3mW 11-times CMOS frequency multiplier (集積回路)
- 4.8GHz CMOS Frequency Multiplier Using Subharmonic Pulse-Injection Locking for Spurious Suppression
- A Scalable Model of Shielded Capacitors Using Mirror Image Effects(Recent Technologies for Microwave and Millimeter-wave Passive Devices)
- MOSFETの動作周波数限界を超えるCMOS周波数分周器(回格技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 差動注入同期型を利用した極低消費電力周波数分周器(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- 厚膜酸化プロセスを用いたインダクタの特性評価
- 厚膜酸化プロセスを用いたインダクタの特性評価(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- 周波数特性を考慮したスローウェーブ伝送線路のモデル(アナログ回路技術ショートノート-アナログ回路技術の創造と伝承を目指して-)
- A-7-2 キーロンダリングを用いたストリーム暗号(A-7.情報セキュリティ,一般講演)
- C-2-88 スローウェーブコプレナ導波路のモデリング(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- 基板カップルインダクタモデル(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- C-2-89 スローウェーブコプレナ導波路の最適化(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- 基板渦電流を考慮したオンチップインダクタモデル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 基板渦電流を考慮したオンチップインダクタモデル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- An Integrated Low-Power CMOS Up-Conversion Mixer Using New Stacked Marchand Baluns(Analog and Communications,Low-Power, High-Speed LSIs and Related Technologies)
- C-12-16 螺旋型および対称型インダクタのポート間容量の比較
- High-Attenuation Power Line for Wideband Decoupling
- On-Chip Asymmetric Coaxial Waveguide Structure for Chip Area Reduction
- C-2-20 CMOS Variable Gain Amplifier using Gain-Boosting Resonator
- Large-Scale Quantum Computing Emulation Based on Unitary Macro-Operations
- Characterization of High Q Transmission Line Structure for Advanced CMOS Processes(Passive Circuits/Components,Emerging Microwave Techniques)
- Device Modeling Techniques for High-Frequency Circuits Design Using Bond-Based Design at over 100GHz
- Through-Only De-embedding for On-Chip Symmetric Devices
- Prospective Silicon Applications and Technologies in 2025
- Chip Multiprocessor Based on Dual Instruction Multiple Data Architecture
- C-12-70 バックゲート電圧掃引による周波数チューニングにより出力パワー変動を抑制した118GHz CMOS VCO(C-12.集積回路,一般セッション)
- 9dB NF and +11dBm OIP3 CMOS Single Conversion Front-End for a Satellite Low-Noise Block Down-Converter