インピーダンスマッチング機能付きCMOSオンチップラットレースバラン(無線/画像処理,システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
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概要
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高周波回路においてはオンチップのバランが必要であるが、オンチップではポートの特性インピーダンスが50Ωで規格化されていないうえに、ラットレースバランは面積が大きくなりすぎてオンチップでの実装が難しい。そこでインピーダンスマッチング特性を持ち、かつ面積の小さいCMOS用オンチップラットレースバランを実現するために、波長短縮効果の高い伝送線路を用いたラットレースバランの最適化を行った。50Ωでない基準インピーダンスにおいてマッチング特性を持つようにラットレースバランの最適化を行った結果、リング部分を正方形でレイアウトした状態で、マイクロストリップ線路を用いた場合に比べて88%面積が削減された最適化結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-02-28
著者
-
小林 直樹
東京大学大学院理学系研究科
-
藤島 実
東京大学大学院新額域創成科学研究科
-
藤島 実
東京大学大学院工学系研究科
-
藤島 実
東京大学大学院工学系研究科:東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
藤島 実
東京大学工学部
-
Fujishima M
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
Fujishima Minoru
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
-
小林 直樹
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
Fujishima Minoru
Hiroshima University
-
小林 直樹
東京大学大学院情報理工学系研究科
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