20-26GHz低消費電力CMOSアップコンバージョンミキサ(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
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概要
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20-26GHz帯低消費電力アップコンバージョンミキサを90nmCMOSプロセスにより実現した。シングルバランスドギルバートセルミキサにマーシャント式バランを用いることで入出力ともにシングルエンドとした。RF周波数22.1GHzにおいて直流電源が1.2V、LO出力が5dBmのときに11.1mWの最大消費電力、2dBの変換利得を得た。1dBコンプレッションポイントは-14.8dBmであった。また20-26GHzの周波数帯域においてRFのリターンロスは10dB以上であった。チップの面積は650μm×570μmであった。
- 2007-01-11
著者
-
藤島 実
東京大学大学院新額域創成科学研究科
-
神林 裕樹
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
藤島 実
東京大学大学院工学系研究科
-
藤島 実
東京大学大学院工学系研究科:東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
藤島 実
東京大学工学部
-
LAI Ivan
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
Fujishima M
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
Fujishima Minoru
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
-
Fujishima Minoru
Hiroshima University
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