厚膜酸化プロセスを用いた低消費電力無線通信回路(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)

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概要

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• 無線通信用回路をCMOSで実現する際、オンチップインダクタの高性能化は低消費電力化への鍵となる。インダクタと基板間の容量カップリングは特性を悪化させる要因となるが、厚膜酸化層をインダクタの下に用いることでカップリングを低減することができる。我々は、厚膜酸化層を有するゲート長0.5μmCMOSプロセスを用い、電圧制御発振回路および周波数分周器を試作評価した。その結果、低閾値プロセスを用いることなく、電源電圧1.0Vで動作する低消費電力回路を実現することができた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-09-05

著者

• 藤島 実

  東京大学新領域創成科学研究科:東京大学工学系研究科

• 山本 憲

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 乗松 崇泰

  東京大学新領域創成科学研究科

• 山本 憲

  東京大学新領域創成科学研究科

• 鶴田 和弘

  株式会社デンソー基礎研究所

• 藤島 実

  東京大学大学院工学系研究科:東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 藤島 実

  東京大学工学部

• 鶴田 和弘

  株式会社デンソー

• 藤島 実

  東京大学新領域創成科学研究科

• Fujishima Minoru

  Hiroshima University

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