ミリ波帯におけるオンチップキャパシタのデバイスモデル(学生・若手研究会)
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概要
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集積回路の微細化によってトランジスタの動作周波数が高くなり、30GHz以上のミリ波帯のアナログ回路が注目を集めるようになってきている。このような高周波においてはデバイス特性に対する寄生成分の寄与が大きくなり、単体デバイスの測定を行う際にパッドの影響を取り除くディエンベディングを正確に実施することが困難になる。特に、キャパシタの直列抵抗のような小さな成分の評価の際に従来のオープン・ショートディエンベディングを用いると、オープンパターンやショートパターンの寄生インピーダンスにより大きな誤差が生じてしまう。そこで、スルーパターンだけを用いるディエンベディング法をキャパシタに適用した。その結果、オープン・ショート法では80GHz付近から負になり正しく評価できなかったキャパシタの直列抵抗値が,110GHzまで評価できることを確認した。
- 2008-12-04
著者
-
藤島 実
東京大学大学院新額域創成科学研究科
-
藤島 実
東京大学新領域創成科学研究科:東京大学工学系研究科
-
夏苅 洋平
東京大学新領域創成科学研究科
-
夏苅 洋平
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
藤島 実
東京大学大学院工学系研究科
-
藤島 実
東京大学
-
藤島 実
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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