本良 瑞樹 | 東京大学大学院工学系研究科
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概要
関連著者
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本良 瑞樹
東京大学大学院工学系研究科
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高野 恭弥
東京大学大学院工学系研究科
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藤島 実
広島大学大学院先端物質科学研究科
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本良 瑞樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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高野 恭弥
広島大学大学院先端物質科学研究科
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片山 光亮
広島大学大学院先端物質科学研究科
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藤島 実
東京大学大学院新額域創成科学研究科
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藤島 実
東京大学大学院工学系研究科:東京大学大学院新領域創成科学研究科
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藤島 実
東京大学工学部
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Fujishima M
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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Fujishima Minoru
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo
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Fujishima Minoru
Hiroshima University
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吉田 毅
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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藤島 実
東京大学大学院工学系研究科
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Fujishima Minoru
Department Of Information And Communication Engineering University Of Tokyo
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Fujishima Minoru
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
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Fujishima Minoru
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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Fujishima Minoru
School Of Engineering The University Of Tokyo
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Fujishima Minoru
School Of Frontier Sciences The University Of Tokyo:school Of Engineering The University Of Tokyo
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Fujishima Minoru
Department Of Electronic Engineering The Universtty Of Tokyo
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FUJISHIMA Minoru
School of Frontier Sciences, the University of Tokyo
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Fujishima Minoru
Department Of Electronic Engineering The University Of Tokyo
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天川 修平
広島大学大学院先端物質科学研究科
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丸岡 元樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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片山 光亮
広島大学大学院工学研究科
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中島 佑樹
広島大学工学部
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丸岡 元樹
広島大学工学部
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天川 修平
広島大学院先端物質科学研究科
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奈原 諒
広島大学大学院先端物質科学研究科
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水草 真一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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横山 脩平
広島大学工学部
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片山 光亮
広島大学院先端物質科学研究科
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高野 恭弥
広島大学院先端物質科学研究科
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本良 瑞樹
広島大学院先端物質科学研究科
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吉田 毅
広島大学院先端物質科学研究科
-
藤島 実
広島大学院先端物質科学研究科
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長妻 宏郁
広島大学工学部
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天川 修
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
片山 光売
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
折井 瑛彦
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
水津 雅史
広島大学大学院先端物質科学研究科
著作論文
- C-12-13 4.8GHz CMOSパルス注入同期型周波数逓信器(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
- 7%のチューニングレンジを持つ76GHzCMOS電圧制御発振器(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- C-12-21 58.8/39.2GHzデュアルモードCMOS周波数分周器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- インピーダンスバランス法を用いたオンチップインダクタの評価(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
- インピーダンスバランス法を用いたオンチップインダクタの評価
- 7%のチューニングレンジを持つ76GHz CMOS電圧制御発振器 (情報センシング)
- C-12-15 CMOSミリ波低雑音増幅器の設計フロー(増幅器,C-12.集積回路,一般セッション)
- インピーダンスバランス法を用いたオンチップインダクタの評価(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
- C-12-70 バックゲート電圧掃引による周波数チューニングにより出力パワー変動を抑制した118GHz CMOS VCO(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-30 短ミリ波CMOSオンウェハディエンベディングの比較(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-12-8 29.3GHz帯域133GHz CMOS小信号増幅器(ミリ波/テラヘルツIC(1),C-12. 集積回路,一般セッション)
- C-12-15 ダイオードにおける非線形容量のモデリングについての検討(CMOSミリ波技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-5 トランスを用いた整合回路の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-4 パラメータμを用いた回路の利得・安定性の関係の考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-12-16 ミリ波CMOS回路における0Ω伝送線路の長さの考察(CMOSミリ波技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-36 オンチップバランを用いた差動ミリ波電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-39 電磁界解析におけるプロセスパラメータの設定法(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-48 CMOSオンチップディエンベディングにおけるスルーの長さに関する考察(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-40 短ミリ波帯におけるCMOS伝送線路構造に関する考察(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-94 ファブアウト後の伝送線路特性見積もり手法(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)