28pXJ-1 Si(111)微斜面におけるステップ核形成によるCaF_2薄膜の成長形態(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
岩崎 裕
大阪大学産業科学研究所
-
須藤 孝一
阪大産研
-
岩崎 裕
阪大
-
岩崎 裕
阪大産研
-
宮里 幸司
阪大産研
-
Iwasaki H
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Iwasaki Hiroshi
Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka Univerisity
-
Ihara H
Electrotechnical Laboratory
-
Iwasaki Hiroko
Research And Development Center Ricoh Company Ltd.
-
須藤 孝一
阪大工
-
Ihara H
Toshiba Research & Development Center Toshiba Corporation
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