14pXG-12 シリコン表面上に形成したトレンチ構造の側壁におけるステップの挙動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
岩崎 裕
大阪大学産業科学研究所
-
須藤 孝一
阪大産研
-
岩崎 裕
阪大
-
岩崎 裕
阪大産研
-
須藤 孝一
大阪大学産業科学研究所
-
Iwasaki H
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Iwasaki Hiroshi
Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka Univerisity
-
Iwasaki Hiroko
Research And Development Center Ricoh Company Ltd.
-
清水 了典
富士電機アドバンストテクノロジー(株)物質・科学研究所
-
栗林 均
富士電機アドバンストテクノロジー
-
蛭田 玲子
富士電機アドバンストテクノロジー
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