半導体化合物の比熱の計算
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概要
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13種の正四面体的配置をとる半導体化合物即ちAlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaSb,InP, InAs, InSb, ZnS, ZnSe, ZnTe及びCdTeに関する比熱の温度依存性は,AlPとAlAsに関しては実験的に報告されていないが,我々が提案した結合力を用いて第一原理から理論的に研究される。低温での比熱は,ブリルアン帯内の和を対称性の良い方向での重みつき平均で置き換える,通常用いられる簡単化された方法では満足に得られない。更に,定圧比熱と定積比熱との間の違いは,定量的に評価され,この寄与は重要ではない。温度依存性の比熱の得られた結果は,これらの半導体化合物の実験値を評価する上で又,非調和効果を研究するのに有用である。
- 物性研究刊行会の論文
- 1986-05-20
著者
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