Si-Ge系の状態図への圧縮効果の影響
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概要
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Si-Ge系の状態図への圧縮効果が擬ポテンシャルに基づく電子論を用い,格子振動の寄与を考慮することによって調べられる。混合相の領域は圧力下で増加し,混合相の頂点は10kbarにつき約6Kの割合で上昇する。圧縮下での融解曲線は温度の降下をもたらす。
- 物性研究刊行会の論文
- 1988-03-20
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