半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響
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概要
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正四面体的配置をとる13種の半導体化合物即ちAlP,AlAs,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe及びCdTeのHelmholtz自由エネルギー及び熱的圧力への格子振動の寄与が,固体電子論から我々の提案した結合力に基づく動力学的取扱いにより研究される。格子振動項からのHelmholtz自由エネルギーと熱的圧力の温度依存性が定量的に得られ,自由エネルギーへの熱振動の寄与は静的結晶エネルギーと比較して小さい。熱的圧力の影響は高温部での状態方程式に重要であり,圧力-体積関係に関して体積スケールの再定式化が熱的圧力を考慮することによって与えられる。
- 物性研究刊行会の論文
- 1992-04-20
著者
-
相馬 俊信
秋田大学工学資源学部情報工学科
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相馬 俊信
秋田大・鉱山
-
加賀屋 弘子
秋田大学工学資源学部情報工学科
-
加賀屋 弘子
秋田大・鉱山
-
小徳 弘明
秋田大・鉱山
-
小徳 弘明
秋田大・鉱山:(現)東芝k.k.
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