Ge-Sn,Si-Sn系の状態図への圧縮効果
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概要
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Ge-Sn及びSi-Sn系の状態図に関する圧力効果が,擬ポテンシャルに基づく以前の電子論を用いて,圧力下でのα-β相転移を考慮することにより研究される。計算結果は,圧力下でのGe-Sn系に関してα相固溶体の出現を予測する。更に,圧縮下での融点近傍における得られた融解曲線がGe-Sn及びSi-Sn系に関して示される。
- 物性研究刊行会の論文
- 1989-11-20
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