Si-Ge系の比熱及び熱膨張係数の計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
純構成要素Si及びGeの力定数への体積効果を用いる以前の取扱いで,我々は固体電子論の第一原理からSi-Ge固溶体の熱物性を研究する。Si_<1-x>Ge_x固溶体の定積比熱は濃度xの単調関数となり,原子濃度の一次内挿によってほぼ与えられる。Si-Ge固溶体のGruneisen定数と熱膨張係数は,特有の濃度依存性を示す。Gruneisen、定数の高温部でのほぼ一定の値と低温部での負の最小値は,原子濃度xの単調関数ではなく,それぞれx=0.7近傍で最大値及びx=0.2近傍で最小値をとる。更に,低温部と高温部の線熱膨張係数は,原子濃度xの直線近似からは大きくずれる。
- 物性研究刊行会の論文
- 1985-10-20
著者
-
加賀屋 弘子
秋田大学・鉱山学部・共通講座
-
相馬 俊信
秋田大学・鉱山学部・共通講座
-
相馬 俊信
秋田大学工学資源学部情報工学科
-
加賀屋 弘子
秋田大学工学資源学部情報工学科
-
木谷 佳子
秋田大学・鉱山学部 電子工学科
-
木谷 佳子
秋田大学・鉱山学部・電子工学科:(現)日本モトローラk.k.
関連論文
- Si, Geの融点への圧力効果 : II. 平均二乗変位の体積依存性
- Si, Geの融点への圧力効果 : I. デバイモデルとGruneisen定数の体積依存性
- α相Al-Li固溶体相の状態図
- Al-Li固溶体合金の格子比熱とデバイ温度
- 原子間力第1及び第2微係数と弾性定数
- 圧縮下でのAlへのLi原子の固溶度の増加に対する理論的研究
- 高温・高圧下の弾性的等方性Al材料
- 原子間力微係数の収束性と高階の力定数
- 3a-YC-13 α相Cu-Al, Cu-Sn系の格子比熱
- 14a-K-4 圧縮下でのSi, Geの熱物性
- 25p-T-1 高圧下でのLi, Naの格子比熱
- 半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響
- 28p-ZP-9 アルカリ金属・Al材料のバルク物性への熱振動の寄与
- 29p-ZE-10 アルカリ基合金の比熱への圧縮効果
- Ge-Snの状態方程式と圧力誘起相転移
- 26a-M-7 Ge-Sn系の状態方程式と圧力有機相転移
- 3a-F-9 半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響
- 2a-K-1 Ge-Sn,Si-Sn系の状態図への圧縮効果
- Ge-Sn,Si-Sn系の状態図への圧縮効果
- 5a-C-18 Si, Geの高温領域での熱物性値
- Si,Geの熱物性への非調和効果
- 4a-A2-5 Si-Ge系の状態図への圧縮効果の影響
- 共有結合性半導体の熱膨張と高圧下での格子熱振動スペクトル : IIジンクブレンド型構造化合物
- 共有給合性半導体の熱膨張と高圧下での格子熱振動スペクトル : I.ダイヤモンド型構造結晶(Si,Ge)
- Si-Ge系の状態図への圧縮効果の影響
- Si, Geのバルク物性への熱振動の寄与
- 28p-E-6 高圧相としてのβ-Sn型構造
- 高圧相としてのβ-Sn型構造
- 共有給合性半導体の格子の軟化効果と圧力誘起相転移
- Si,Geの熱物性値--INSPECのDatareviewに参画して
- 29a-B-11 半導体化合物の熱振動への圧縮効果と熱膨張
- 半導体化合物の熱振動数への圧縮効果と熱膨張
- 半導体化合物の比熱の計算
- 半導体化合物の弾性定数の圧力微係数と圧縮下での長波長モードGruneisenパラメータ
- Si-Ge系の比熱及び熱膨張係数の計算
- 2a-UA-9 アルカリ金属基合金の比熱への非調和効果
- Si-Ge固溶体の熱振動モードと圧力誘起相転移
- 3p-Q-12 Si-Ge固溶体の振動モードと圧力誘起相転移
- III-V, II-VI半導体化合物の高圧NaCl相と状態方程式
- III-V,III-VI半導体化合物の結合力とフォノン分散曲線
- 13p-PS-34 AlP,AlAs,AlSbの格子振動と高圧相転移
- Si-Ge系の弾性率と圧縮効果
- Si-Ge固容体の状態方程式と高圧相転移
- 2a-B-8 Si-Ge固溶体の高圧相転移と半導体化合物の孔子熱振動
- 半導体化合物の熱膨張係数とWeinsteinの1次相関の破綻