3a-YC-13 α相Cu-Al, Cu-Sn系の格子比熱

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1994-08-16

著者

• 相馬 俊信

  秋田大学工学資源学部情報工学科

• 相馬 俊信

  秋田大・鉱山

• 加賀屋 弘子

  秋田大学工学資源学部情報工学科

• 加賀屋 弘子

  秋田大・鉱山

関連論文

• α相Al-Li固溶体相の状態図
• Al-Li固溶体合金の格子比熱とデバイ温度
• 原子間力第1及び第2微係数と弾性定数
• 圧縮下でのAlへのLi原子の固溶度の増加に対する理論的研究
• 高温・高圧下の弾性的等方性Al材料
• 原子間力微係数の収束性と高階の力定数
• 3a-YC-13 α相Cu-Al, Cu-Sn系の格子比熱
• 14a-K-4 圧縮下でのSi, Geの熱物性
• 25p-T-1 高圧下でのLi, Naの格子比熱
• 半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響
• 28p-ZP-9 アルカリ金属・Al材料のバルク物性への熱振動の寄与
• 29p-ZE-10 アルカリ基合金の比熱への圧縮効果
• Ge-Snの状態方程式と圧力誘起相転移
• 26a-M-7 Ge-Sn系の状態方程式と圧力有機相転移
• 3a-F-9 半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響
• 2a-K-1 Ge-Sn,Si-Sn系の状態図への圧縮効果
• Ge-Sn,Si-Sn系の状態図への圧縮効果
• 5a-C-18 Si, Geの高温領域での熱物性値
• Si,Geの熱物性への非調和効果
• 4a-A2-5 Si-Ge系の状態図への圧縮効果の影響
• 1p-PS-26 III-V,II-VI半導体化合物の高圧NaCl相
• 1p-B-9 Si-Ge系の弾性率と状態方程式
• 4p-NL-12 Si-Ge,Si-Sn及びGe-Sn系の状態図の計算
• 4p-NL-11 Si,Geの融点への圧力効果
• 2a-N-1 高圧力下の構造研究 : 半導体化合物の相転移と熱振動(理論)
• 共有結合性半導体の熱膨張と高圧下での格子熱振動スペクトル : IIジンクブレンド型構造化合物
• Si-Ge,Si-SnおよびGe-Sn系の結合力と状態図に対する電子論的考察
• 共有給合性半導体の熱膨張と高圧下での格子熱振動スペクトル : I.ダイヤモンド型構造結晶(Si,Ge)
• 2a-G-10 GaPの低温での熱膨張係数
• 11a-R-3 GeのX点でのGruneisen定数と格子の軟化効果
• 25a-T-4 単純金属の弾性定数と圧縮率問題
• Si-Ge系の状態図への圧縮効果の影響
• Si, Geのバルク物性への熱振動の寄与
• 28p-E-6 高圧相としてのβ-Sn型構造
• 高圧相としてのβ-Sn型構造
• 共有給合性半導体の格子の軟化効果と圧力誘起相転移
• Si,Geの熱物性値--INSPECのDatareviewに参画して
• 29a-B-11 半導体化合物の熱振動への圧縮効果と熱膨張
• 半導体化合物の熱振動数への圧縮効果と熱膨張
• 半導体化合物の比熱の計算
• 半導体化合物の弾性定数の圧力微係数と圧縮下での長波長モードGruneisenパラメータ
• Si-Ge系の比熱及び熱膨張係数の計算
• 2a-UA-9 アルカリ金属基合金の比熱への非調和効果
• Si-Ge固溶体の熱振動モードと圧力誘起相転移
• 3p-Q-12 Si-Ge固溶体の振動モードと圧力誘起相転移
• III-V, II-VI半導体化合物の高圧NaCl相と状態方程式
• III-V,III-VI半導体化合物の結合力とフォノン分散曲線
• 13p-PS-34 AlP,AlAs,AlSbの格子振動と高圧相転移
• Si-Ge系の弾性率と圧縮効果
• Si-Ge固容体の状態方程式と高圧相転移
• 2a-B-8 Si-Ge固溶体の高圧相転移と半導体化合物の孔子熱振動
• 1a-L2-4 Si, Geのパルク物性への熱振動の寄与(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
• 1a-FC-3 Si-Ge系の熱物性の計算(1a FC 半導体(アモルファス))
• 29p-LD-14 共有結合性半導体の格子の軟化効果と圧力誘起相転移(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク