MOD法によるBi-2212薄膜の面内配向性制御(マイクロ波,超伝導,一般)

元データ 2006-04-13 社団法人電子情報通信学会

概要

高周波応用を目指し,誘電率の低いMgO基板上にBi_2Sr_2CaCu_2O_x(Bi-2212)薄膜を有機金属分解(MOD)法で作製した.一般に,Bi-2212とMgOはab面での格子不整合性が8.9%と大きく,MgO(100)基板上に作製したc-軸配向Bi-2212薄膜の面内配向は,cube-on-cube(Bi-2212[100]//MgO[110];回転角φ=45°)の他にφ〜±12°(Bi-2212[100]//MgO[510])の配向が成長することが知られている.この面内配向を制御するために,我々はBi-2212と格子整合性のよいSrTiO_3(STO)薄膜をバッファー層として利用した.MgO基板上にSTO,Bi-2212を共にMOD法で作製した試料は,cube-ob-cube成長(Bi-2212[100]//STO[110]//MgO[110])のみを持つ面内配向制御された薄膜であることがわかった.

著者

内田 貴司 防衛大学校電気電子工学科
内山 哲治 宮城教育大
内山 哲治 東京工業大学 大学院理工学研究科 物性物理学専攻
内田 貴司 防衛大学校 電気電子工学科

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