MOD法によるMgO基板上へのSTOおよびBi-2212薄膜の作製

元データ 2007-07-20 社団法人電子情報通信学会

概要

我々は、テラヘルツ発振器などの高周波デバイスへの応用を目指し、MgO基板上へのBi_2Sr_2CaCu_2O_<8+x>(Bi-2212)薄膜の作製を行っている。本研究では、低コストで大面積での成膜が可能な有機金属分解(MOD)法に注目し、Bi-2212薄膜を作製する際のMgO基板上へバッファー層として期待できるSrTiO_3(STO)薄膜とBi-2212薄膜をそれぞれ作製し、それらの特性評価を行った。その結果、2段階熱処理を導入し、プリカーサの作製条件を最適化することにより、STO薄膜に対してX線回折測定によるロッキングカーブ半値幅Δω=1.80 deg.、面内ロッキングカーブ半値幅Δφ=2.65 deg.を得た。また、Bi-2212薄膜に対し、プリカーサ作製および本焼成プロセスを改善することにより、超伝導転移温度T_C=75Kを得た。

著者

立木 隆 防衛大学校電気電子工学科
内田 貴司 防衛大学校電気電子工学科
渡邉 省司 防衛大学校電気電子工学科
内山 哲治 宮城教育大
内田 貴司 防衛大学校 電気電子工学科
立木 隆 防衛大学校 電気電子工学科

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