KrFレーザー蒸着法による二硼化物超伝導薄膜の作製(エレクトロニクス・一般)

元データ 2004-10-15 社団法人電子情報通信学会

概要

われわれは,これまで合金系超伝導体のMgB_2薄膜を作製するために,欠点と思われがちだったMgとBの融点が非常に異なるという点を逆に利用したキャップ・メルト(CM)法とCM法を改良したメタルプレートキャップ・メルト(MCM)法という成膜方法を提案し,再現性良く転移温度(T_C)が30K程度のMgB_2薄膜の作製に成功してきた.また,最近,MCM法の非平衡状態での成膜において,理論予想はあったが作製が困難であった非超伝導元素のAgとBからなる新奇の合金系Ag-B薄膜を合成し,初めて超伝導化に成功(T_C〜7K)した.われわれは,これにより,CM・MCM法の有用性が検証できたと考えている.

著者

内山 哲治 東京工業大学 大学院理工学研究科 物性物理学専攻
井口 家成 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
井口 家成 東大工理
井口 家成 東工大理
内山 哲治 東工大・理工
富田 律也 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
古賀 寛子 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
内山 哲治 東京工大 大学院理工学研究科
内山 哲治 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
井口 家成 <東工大理>
井口 家成 物質・材料研究機構 ナノマテリアル研

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