20pXA-6 UHV-TEMによる極薄Si酸化膜を用いたSi(111)表面上でのGeナノドット形成過程の評価(II)(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-08-19
著者
-
田中 信夫
名大エコトピア研
-
田中 信夫
国立大学法人東京工業大学男女共同参画推進センター
-
趙 星彪
名大エコトピア研
-
趙 星彪
名大エコ研
-
川野 晋司
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
川野 晋司
名大院工
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