川野 晋司 | 名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

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概要

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• 同名の論文著者
• 名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻の論文著者

関連著者

• 田中 信夫

  名大エコトピア研

• 趙 星彪

  名大エコ研

• 川野 晋司

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 田中 信夫

  名古屋大学

• 田中 信夫

  国立大学法人東京工業大学男女共同参画推進センター

• 川野 晋司

  名大院工

• 趙 星彪

  CREST-JST

• 田中 信夫

  CREST-JST

• 趙 星彪

  名大エコトピア研

• 齋藤 晃

  名大エコトピア研

• 山崎 順

  名大エコトピア研

• 齋藤 晃

  東北大多元研

• 齋藤 晃

  名古屋大学エコトピア科学研究所

• 山崎 順

  名古屋大学エコトピア科学研究機構工学研究科

• 斎藤 晃

  東北大学多元物質科学研究所

• 田中 信夫

  名大院工

• 斎藤 晃

  東北大学 科学計測研究所

• 山崎 順

  名古屋大学エコトピア科学研究所

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著作論文

• UHV in-situとC_s-corrected HRTEMによる極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長,および微細構造の評価(結晶評価技術の新展開)
• 21pTG-5 Si(111)表面上に形成されたGeナノドットの表面構造の評価(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aXC-10 極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長に関する研究(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26pYC-4 Si基板上Geナノドット成長中における表面構造のreal-time HRTEM観察(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXA-6 UHV-TEMによる極薄Si酸化膜を用いたSi(111)表面上でのGeナノドット形成過程の評価(II)(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))

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