5a-X-7 Ge/Si(001)界面構造の高分解能観察とモデルフリー解析
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
24pPSA-45 極薄Si酸化膜上にエピタシャル成長したFe_3Siナノドットの構造評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21aPS-71 極薄Si酸化膜上に成長したFe-Siナノドットの構造評価(II)(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
15aPS-4 極薄 Si 酸化膜上に成長した Fe-Si ナノドットの構造評価(領域 9)
-
28pXM-1 プランビューHRTEMによるIII-V族化合物半導体の再構成表面構造の観察(X線・粒子線(電子線))(領域10)
-
27aYH-7 UHV in-situ TEMによる極薄Si酸化膜付Si基板上に成長するGeナノドットの歪み評価-II(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
28pTE-1 UHV in-situ TEMによる極薄Si酸化膜付Si基板上に成長するGeナノドットの歪み評価(28pTE 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aYF-8 Geometric Phase Methodによる局所的な歪み解析の評価(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
21pTG-5 Si(111)表面上に形成されたGeナノドットの表面構造の評価(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
19aXC-10 極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長に関する研究(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
26pYC-4 Si基板上Geナノドット成長中における表面構造のreal-time HRTEM観察(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20pXA-6 UHV-TEMによる極薄Si酸化膜を用いたSi(111)表面上でのGeナノドット形成過程の評価(II)(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26pXD-2 極薄Si酸化膜を用いたSi(111)表面上でのGeナノドット形成過程のUHV-TEMその場観察(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
30aYL-8 東京工業大学の女性研究者支援モデル(30aYL 物理と社会シンポジウム:研究・教育の場における男女共同参画-拡大する女性研究者支援と今後の展望,物理と社会)
-
30aYL-8 東京工業大学の女性研究者支援モデル(30aYL 物理と社会シンポジウム:研究・教育の場における男女共同参画-拡大する女性研究者支援と今後の展望,物理と社会)
-
30aYL-8 東京工業大学の女性研究者支援モデル(30aYL 物理と社会シンポジウム:研究・教育の場における男女共同参画-拡大する女性研究者支援と今後の展望,物理と社会)
-
30aYL-8 東京工業大学の女性研究者支援モデル(30aYL 物理と社会シンポジウム:研究・教育の場における男女共同参画-拡大する女性研究者支援と今後の展望,物理と社会)
-
20aPS-51 InSb{111} A, B-(2×2) 表面上での Au 蒸着素過程の直接観察
-
28aXC-5 球面収差補正HRTBMにおける色収差条件と軸あわせ問題
-
27pYA-5 電子チャネリング理論による高分解能電顕像のイメージデコンボリューション処理の基礎づけ
-
5a-X-8 結晶構造像・格子像の直観的解釈について : 動力学回折効果の効き方
-
5a-X-7 Ge/Si(001)界面構造の高分解能観察とモデルフリー解析
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク