28pTE-1 UHV in-situ TEMによる極薄Si酸化膜付Si基板上に成長するGeナノドットの歪み評価(28pTE 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 藤林 裕明

  名大院工

• 田中 信夫

  国立大学法人東京工業大学男女共同参画推進センター

• 趙 星彪

  名大エコ研

• 田中 信夫

  名大院工

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