High-Quality Zinc Sulfide Thin Films Grown by MOCVD Using Carbon Disulfide as A Sulfur Source : Semiconductors and Semiconductor Devices
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1988-02-20
著者
-
高田 新三
金沢工業大学
-
MINAMI Tadatsugu
Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology
-
TAKATA Shinzo
Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology
-
MIYATA Toshihiro
Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology
-
NANTO Hidehito
Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology
-
Takata Shinzo
Electron Device System Laboratory Kanazawa Institute Of Technology
-
Nanto Hidehito
Electron Device System Laboratory Kanazawa Institute Of Technology
-
Miyata Takeo
Electron Device System Laboratory Kanazawa Institute Of Technology
-
Miyata T
Optoelectronic Device System R&d Center Kanazawa Institute Of Technology
-
Minami Tadatsugu
Electron Device System Laboratory Kanazawa Institute Of Technology
-
Miyata Toshihiro
Electron Device System Laboratory Kanazawa Institute Of Technology
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