Reactive Ion Etching Using Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma with n-Butyl Acetate Reactive Gas
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1992-03-15
著者
-
高田 新三
金沢工業大学
-
Sato Hisao
Nitride Semiconductor Co. Ltd.
-
Minami T
Department Of Applied Materials Science Graduate School Of Engineering Osaka Prefecture University
-
Sato H
Research And Development Center Gunze Limited
-
Sato Hiroyasu
Faculty Of Engineering Mie University
-
Sato Hiroharu
Multimedia Eng. Lab.
-
MINAMI Tadatsugu
Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology
-
TAKATA Shinzo
Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology
-
SATO Hirotoshi
Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology
-
MIYATA Toshihiro
Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology
-
Takata Shinzo
Electron Device System Laboratory Kanazawa Institute Of Technology
-
Sato H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Kumamoto University
-
Miyata T
Optoelectronic Device System R&d Center Kanazawa Institute Of Technology
-
Minami Tadatsugu
Electron Device System Laboratory Kanazawa Institute Of Technology
-
Miyata Toshihiro
Electron Device System Laboratory Kanazawa Institute Of Technology
-
Sato Hisao
Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University
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