Diffusion Process of Interstitial Atoms in an Electron Irradiated InP Studied by Transmission Electron Microscopy
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概要
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Growth of interstitial agglomerates, that are formed in InP by post-annealing above 700 K following 200 keV electron irradiation, has been systematically examined by transmission electron microscopy to understand the migration of point defects in InP. The nucleation and growth of the agglomerates stopped at an early stage of post-annealing. The number density of interstitial atoms in agglomerates, estimated after the growth of all agglomerates stops, did not depend on annealing temperature but on electron dose, and it increased quadratically with electron dose up to 2.5×10^<22>cm^<-2>. These results were well explained by a model in which the agglomerates were formed through the migration of In_i-P_i interstitial-pairs. The migration energy for the pairs was estimated as 1.52 eV.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1997-09-15
著者
-
Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
-
Ohno Yutaka
Department Of Information Science Faculty Of Engineering Kyoto University
-
Hirata M
Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University
-
Hirata Mitsuji
Department Of Physics Boston College:(permanent Address)department Of Physics Osaka University
-
Takeda Seiji
Department Of Botany Graduate School Of Science Kyoto University
-
SAITOH Nagahito
Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University
-
Saitoh Nagahito
Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University
-
Ohno Yutaka
Department of Applied Chemistry, Faculty of Engineering, Tohoku University
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