透過電子顕微鏡内その場可視分光装置の開発とその応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-07-31
著者
-
Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
-
竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
-
大野 裕
大阪大学・大学院理学研究科物理学専攻
関連論文
- 酸化セリウムに担持した白金と金のナノ粒子の高分解能環境TEM観察
- 26pYH-1 SiCナノワイヤ/Auナノ粒子ネットワークにおける抵抗スイッチング(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pWA-10 SiCナノワイヤにおける積層シーケンスの統計的性質(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pPSB-2 コンペイトウ型SiC粒子の生成 : ナノワイヤ成長からの遷移(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pXM-2 SiCナノワイヤーの電子線ホログラフィー(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
- 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
- 23aTA-6 CF_4プラズマによるSWCNTのフッ素化(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYK-3 有機ガスの電子エネルギー損失分光(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 高圧力・高分解能タイプの環境TEMの開発と応用
- 環境制御・透過型電子顕微鏡の現状と展望
- 3p-M-14 シリコン結晶中に析出した金微粒子のHRTEM観察
- 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25aYK-5 カーボンナノチューブ生成における不純物添加効果の環境制御型TEMによる解析(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aTD-9 シリコンナノチェイン電気伝導の非ガウスゆらぎ(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22pPSA-2 MOCVD法によるSiCナノ構造生成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTG-7 カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- シリコン双晶ナノ粒子の高分解能電子顕微鏡観察 : 回転に伴う像の連続変化
- 25pPSB-61 マイクロマニピュレータを用いた半導体ナノニードルの電気伝導特性の測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYH-7 シリコンナノチェインの高電圧印加電気伝導(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-110 シリコンナノニードルをテンプレートとしたシリコン/鉄シリサイドヘテロ接合の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
- 4p-YG-9 自然超格子GaInPの無秩序化過程 : TEMその場観察
- 触媒研究のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡の開発 (第107回触媒討論会B講演予稿)
- 18aRJ-4 環境制御型透過電子顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ成長その場観察(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 12aXG-13 成長雰囲気中における SWNT の TEM 像シミュレーション(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
- 29pPSA-63 ナノワイヤ成長にみられる複雑な直径変動(領域11ポスターセッション)
- 電子照射によるシリコンのアモルファス化とその素過程
- 19aTG-7 シリコンにおける照射誘起アモルファス化の温度依存性
- 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
- 23aYP-8 シリコンにおけるアモルファス化の素過程
- 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
- 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
- 25aN-14 シリコンの電子照射アモルファス化を用いたフォトニック結晶
- 25aYL-2 シリコンにおける低温電子照射誘起の欠陥の構造と熱的安定性
- 25aYL-1 電子照射で生成されたアモルファス・シリコンの構造物性
- 28p-ZA-11 シリコンにおける電子線照射効果の低温(4K)その場高分解能TEM観察
- 28p-ZA-10 シリコンおける電子線照射誘起の非晶質化
- 26a-T-3 シリコンの低温での電子線照射効果
- 6a-S-4 Si-Ge混晶の電子線低温照射欠陥
- 30p-E-8 Si-Ge混晶における電子線照射欠陥
- 霧化型励起酸素発生器の基礎研究
- 30p-YK-8 自然超格子(Al,Ga,In)Pの反位相境界の形成メカニズム
- 29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界
- 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
- Output Power Enhancement of a Chemical Oxygen-Iodine Laser by Predissociated Iodine Injection
- 化学酸素沃素レｰザｰ(Chemical Oxygen Iodine Laser : COIL)の高圧力動作
- OS4(5)-19(OS04W0319) Measurement of Local Minute Strain by Using Synchrotron X-Ray Microbeam
- Evaluation of Lattice Strain in Silicon Substrate Beneath Aluminum Conductor Film Using High-Resolution X-Ray Microbeam Diffractometry
- Formation of Parallel X-Ray Microbeam and Its Application
- Phase-Contrast X-Ray Imaging Using Both Vertically and Horizontally Expanded Synchrotron Radiation X-Rays with Asymmetric Bragg Reflection
- Characterization of Diamond Single Crystals for Synchrotron Radiation Monochromators (Proceedings of the Second International Conference on SRMS(Synchrotron Radiation in Materials Science)(2))
- 31aYG-7 シリコン {113} 面欠陥の plan-view 高分解能電子顕微鏡観察
- 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 沃素のマイクロ波放電解離を用いた超音速化学酸素沃素レｰザ
- 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
- 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
- 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
- Waveform Shaping of a Chemical Oxygen-Iodine Laser Utilizing the Zeeman Effect
- 化学酸素沃素レｰザｰの磁場によるパルス発振
- 化学酸素沃素レーザの磁場による出力制御
- 実環境下でのプロセス・特性評価のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡とその応用 (特集 触媒化学への(S)TEM技術の応用)
- 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
- 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
- InPにおける点欠陥の拡散過程
- 27p-N-4 GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定
- 22pWA-3 CoPtCrB磁性膜中のBサイトの詳価(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pPSA-29 セルフイオン照射Si結晶の断面STM観察
- 30p-Q-9 シリコン及びゲルマニウムにおける表面ナノホールの生成条件
- 31a-E-14 超高真空電顕法によるシリコン薄膜の電子線照射効果の研究
- 高分解能電子顕微鏡法によるSi微小欠陥の観察
- 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
- 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
- 触媒研究のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡の開発
- 環境制御・透過電子顕微鏡法によるナノ粒子触媒のその場観察
- 透過電子顕微鏡内その場可視分光装置の開発とその応用
- 光力システムにおける窒素を用いた高効率超音速化学酸素沃素レーザー
- Atomic Structure of a Defect Colony in Silicon Introduced during Neutron Irradiation in the JOYO Reactor
- Diffusion Process of Interstitial Atoms in an Electron Irradiated InP Studied by Transmission Electron Microscopy
- 光力システムにおける超音速化学励起沃素レーザーの新型 Jet type 励起酸素発生器の動作特性
- 27pPSA-32 電子線照射と反応ガスによるAu/TiO_2触媒の形状変化の環境TEM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTG-5 Pt/CeO_2触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成 (連載技術特集 よく分かるナノテクノロジー(2)ナノ加工)
- 23pTA-11 多形シリコンナノワイヤー
- 25pY-6 GaPの点欠陥移動における表面効果
- 24pY-14 シリコン表面ナノホールの光物性
- 23aW-13 シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定
- 17pTF-1 シリコンナノワイヤー成長におけるバイファケーション
- 新しいシリコン系ナノ構造と電子顕微鏡