単一電子トランジスタを用いた論理回路の動作マージン
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概要
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単一電子デバイスは、その低消費電力性、高集積性のため注目され、様々な種類のデバイスが提案され解析されている。我々は単一電子トランジスタに注目し、その論理回路への応用をモンテカルロ法を用いた数値シミュレーションにより検討してきた。 従来の半導体素子に比べ、電圧利得の小さい単一電子トランジスタを論理回路として用いるには、その動作マージンが重要である。ここでは、これまでに提案されたいくつかの単一電子トランジスタを用いた基本回路 (抵抗負荷型および相補型インバータ、NAND、NOR回路) について、バイアス電圧の変化に対する動作マージンを検討し、そのときの実現可能な回路規模を見積もったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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