La_<2-x>Sr_xCuO_4の抵抗率と移動度のSrドープ量依存性
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概要
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La_2-X>Sr_XCuO_4のバルク試料の抵抗率測定によって、以下の現象を見いだした。(a)抵抗率のx依存性ρ(x)は、x【approximately equal】1, 4^N(N=1,2,3,...)において急激に低下する。この低下は、低温から室温にいたるまで生ずる。(b)超伝導は低温において1/4^2【less than or equal】x【less thanor equal】1/4の範囲で生ずる。ノーマル抵抗率の低下現象を解明するため、La_2-X>Sr_xCuO_4のバルク試料と薄膜試料についてホール効果の測定を行ない、上記のx値において、キャリア移動度が増加する事を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-20
著者
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院工学府
-
宇野 和史
横浜国立大学
-
高 華
横浜国立大学
-
金田 久善
横浜国立大学
-
菅原 昌敬
横浜国立大学
-
菅原 昌敬
横浜国立大学工学部電子情報工学科
-
吉川 信行
横浜国立大学 工学部 電子情報工学科
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