三次元電磁界シミュレータを用いた超伝導マイクロ波デバイスのシミュレーション方法(アナログ応用,一般)
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概要
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フィルタ、遅延素子、共振器などの超伝導マイクロ波デバイスは、様々なアプリケーションに用いられる。マイクロ波デバイスを設計する上で、回路の特性を正確に見積もることは重要であり、通常は三次元電磁界シミュレータを用いて行われる。しかしながら、超伝導マイクロ波デバイスの場合は、超伝導体特有の物理現象がデバイスの特性に寄与するため、一般の三次元電磁界シミュレータではその特性を正確に見積もることができない。そこで本研究では、一般の三次元電磁界シミュレータを用いて、超伝導マイクロ波デバイスの特性を正確に見積もる方法を提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-01-22
著者
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院工学府
-
斉藤 祐一郎
横浜国立大学工学部
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院:crest-jst
-
吉川 信行
横浜国大工
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院 工学研究院
-
Yoshikawa N
Yokohama National Univ. Yokohama Jpn
-
山梨 祐希
横浜国立大学大学院工学府
-
山梨 祐希
横浜国立大学工学部
-
竹内 尚輝
横浜国立大学工学府
-
吉川 信行
横浜国立大学 工学部 電子情報工学科
-
竹内 尚輝
横浜国立大学大学院工学府
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