微粒子薄膜における電荷KT効果の観測
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概要
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Pd微粒子薄膜を用いて、電荷ソリトンにおけるKosterlitz-Thouless(KT)転移を調べた。粒径分布の小さいPd微粒子薄膜の電流電圧(I-V)特性を測定したところ、低温においてI∝V^αなる関係が得られた。またKT転移温度T_KT>=7.98Kにおいて、α=1からα=3へのユニバーサルジャンプを観測した。一方、面抵抗の温度特性(Rs-T)特性はT【greater than or equal】T_KT>においてRs∝exp[b(T-T_KT>)^-1, 2]なる依存性を示した。この時、KT転移温度はT_KT>=8.0Kとなり、I-V特性から求めた値とよく一致した。これに対し、活性化エネルギーから求めたT_KT>の理論値は、実験で得られた値よりも大きくなった。これは、ソリトンの大きさが系の大きさよりも小さいためと考えられる。以上の伝導特性は2次元SETアレイでのシミュレーション結果と定性的によく一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-20
著者
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院工学府
-
福澤 英明
横浜国大工
-
吉川 信行
横浜国大工
-
菅原 昌敬
横浜国立大学
-
三浦 則宏
横浜国大工
-
福澤 英明
横浜国立大学工学部電子情報工学科
-
三浦 則宏
横浜国立大学工学部電子情報工学科
-
菅原 昌敬
横浜国立大学工学部電子情報工学科
-
吉川 信行
横浜国立大学 工学部 電子情報工学科
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