高抵抗NbN微小ブリッジ接合における電界効果の観測
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概要
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厚さ、幅及び長さがそれぞれ10nm、100nm、100nm〜300nm程度の微小NbNブリッジ接合を作製し、接合の電圧電流特性と電界効果を測定した。約100kΩ以上の接合抵抗を持つ試料では、低温において電圧オフセット2mV〜12mVを有する非線形な電圧電流特性が現れた。この非線形性は、微小トンネル接合アレイでの単電子トンネル効果によるものと類似している。またブリッジの上に作製したゲート電極にゲート電圧を印加すると、接合コンダクタンスはゲート電界により周期的に変化した。これらのチャージング効果はNbN薄膜の微粒子構造に基づく単電子トンネル効果として理解できる。一次元SET接合アレイモデルによるシミューレシュン結果は実験結果と良く一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院工学府
-
吉川 信行
横浜国大工
-
菅原 昌敬
横浜国立大学
-
菅原 昌敬
横浜国立大学工学部電子情報工学科
-
吉川 信行
横浜国立大学 工学部 電子情報工学科
-
陳 暁
横浜国立大学工学部電子情報工学科
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