抵抗結合型SETトランジスタを用いた相補型論理回路
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概要
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抵抗結合型単一電子トンネル(R-SET)トランジスタは、容量結合型SET(C-SET)トランジスタに比べて大きな電圧利得を有し、電荷トラップ等によるしきい値の変動が小さいため、論理回路の設計において有利である。しかし、オン抵抗が大きなため、C-SETトランジスタと比較して論理振幅が小さいという欠点がある。本報告では、この欠点の改善策として、相補型構成による論理回路を提案し、その特性をモンテカルロシミュレーションにより解析した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院工学府
-
菅原 昌敬
横浜国立大学
-
神宮 保幸
横浜国立大学 工学部
-
石橋 宏
横浜国立大学
-
菅原 昌敬
横浜国立大学工学部電子情報工学科
-
吉川 信行
横浜国立大学 工学部 電子情報工学科
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