シミュレーテッドアニーリングを用いた光電子デバイスの最適設計手法
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概要
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本論文では,多様な要求を同時に満足する構造を自動的に探索する新しい光電子デバイス最適設計手法について述べる.この手法の特徴は,定量的な構造評価を可能にするコストの導入とシミュレーテッドアニーリングによる望ましい構造のグローバルな探索にある.まずコストの定義と最適化の詳細手順を明らかにする.最適化においてはコスト関数の最小点(理論上の最適構造)への収束に加え,作製誤差の許容度が大きい構造への収束も可能である(近傍コスト(NC)法,有限温度アニーリング(FTA)法).次に提案する三つの手法をpnpn差動光スイッチの設計に適用し,その有効性を実証する.更にコストの表現方法,アニーリングパラメータと収束の関係について考察する.構造探索の自由度が大きいコスト表現が総合性能の向上に有効であること,アクセプト確率がアニーリングの初期温度あるいはFTA法の固定温度の設定に役立つパラメータであること,ならびに収束コストはアニーリングに費やす時間に反比例することが示される.これらの結果は本手法を任意の光電子デバイスの設計に適用する際の有用な指針となる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-25
著者
-
久間 和生
三菱電機株式会社 システムlsi事業統括部
-
岩本 貴司
三菱電機株式会社
-
岩本 貴司
三菱電機(株)半導体基礎研究所気付理論三菱研究室
-
岩本 貴司
三菱電機 先端技術総合研究所
-
原 邦彦
三菱電機株式会社半導体基礎研究所
-
原 邦彦
三菱電機株式会社システムlsi事業統括部
-
久間 和生
三菱電機株式会社開発本部
-
久間 和生
三菱電機(株)半導体基礎研究所気付理論三菱研究室
-
久間 和生
三菱電機株式会社
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