256×256画素n-MOS Si 人工網膜チップ
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概要
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人工網膜チップの高画素化 将来の実時間画像処理システムにおいては、撮像面上での画像処理が重要になると思われる。ここで画素そのものにあまりに高い機能を要求すると構造が複雑になり、画素面積の増大や開口率の低下を招くため、いかに単純な構造で多機能性を実現するかが一つの鍵となる。そのようなデバイスとして我々はこれまでに人工網膜チップの報告を行ってきた。このチップでは各画素の機能を、正負両極性の感度を持てるようにする、ということに絞り、画素間演算を電流で行わせている。これにより画素当りのトランジスタ数を6個にまで抑えることが出来るため、画素数を増やすことが容易になった。今回256×256画素のn-MOS Si人工網膜チップの開発に成功したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
三宅 康也
船井電機株式会社
-
太田 淳
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
船津 英一
三菱電機株式会社システムlsi事業統括部
-
久間 和生
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
久間 和生
三菱電機株式会社 システムlsi事業統括部
-
三宅 康也
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
金元 秀博
三菱電機株式会社設計システム技術センター
-
豊田 孝
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
新田 嘉一
三菱電機
-
新田 嘉一
三菱電機株式会社 半導体基礎研究所
-
鍋田 芳則
三菱電機株式会社 設計システム技術センター
-
田井 修市
三菱電機株式会社 半導体基礎研究所
-
金元 秀博
三菱電機株式会社 設計システム技術センター
-
久間 和生
三菱電機株式会社開発本部
-
新田 嘉一
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
久間 和生
三菱電機株式会社
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