ガスソースMBEによる 0.98μm InGaAs/InGaP DFB レーザの作製
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概要
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低雑音EDFAの長期安定化のためには波長安定度の高い0.98μm帯励起光源が望まれている。InGaAs/InGaP系0.98μm帯レーザの高性能化について、温度特性の向上および単一波長化の点から検討した。MQB効果の期待できるGaAs/InGaP-SL-OCL構造の導入によりキャリアのオーバフローを抑制し、300Kの特性温度を達成した。また、Asフラックスを照射しないクリーニング法をガスソースMBE再成長に用い、結晶欠陥、不純物蓄積の極めて少ない良好な再成長界面が得られた。この方法を用いて、ガスソースMBEとしては初めて0.98μm帯DFBレーザの作製を行った。発振しきい値30mA、16mWまで安定な単一波長動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-17
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