半導体光増幅器マッハツェンダ干渉計型光波長変換器の双方向入射動作(レーザ・量子エレクトロニクス)
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概要
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半導体光増幅器(SOA)の相互位相変調(XPM)を利用したマッハツェンダ干渉計(MZI)型全光波長変換器では,片側アームのみにデータ光を入射する「スタンダード動作方式」の場合,相互利得変調(XGM)による強度のアンバランスが原因で良好な特性を得ることが難しい.特に,NRZフオーマット信号では,連続するマークレベルが入射した場合にXGMによる強い利得抑圧が誘起されるため,強度のパターン効果の問題が顕著である.本論文ではこのようなSOA-MZI全光波長変換器のパターン効果を解消するために,SOAのXGMとXPMの比率がデータ光の入射方向に依存することを利用して,MZIの両アームのSOAに互いに異なる方向からデータ光を入射する,双方向入射方式を提案し,実験的に検証した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-01
著者
-
西村 公佐
株式会社KDDI研究所
-
猪原 涼
株式会社KDDI研究所
-
宇佐見 正士
株式会社KDDI研究所
-
宇佐見 正士
(株)KDD研究所
-
服部 雅晴
(株)KDDI研究所
-
猪原 涼
(株)KDDI研究所
-
西村 公佐
(株)kddi研究所
-
西村 公佐
(財)光産業技術振興協会
-
猪原 涼
(財)光産業技術振興協会
-
宇佐美 正士
(財)光産業技術振興協会
-
服部 雅晴
株式会社KDDI研究所
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