宇佐見 正士 | KDD研究所
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概要
関連著者
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宇佐見 正士
KDD研究所
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鶴沢 宗文
KDD研究所
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松島 裕一
(株) Kddi研究所
-
松島 裕一
KDD研究所
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松島 裕一
株式会社KDD研究所
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西村 公佐
KDD研究所
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鶴沢 宗文
株式会社KDDI研究所
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宇佐見 正士
(株)KDD研究所
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田中 信介
(株) Kddi研究所
-
田中 信介
KDD研究所
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高平 宜幸
KDD研究所
著作論文
- B-10-62 可飽和吸収型雑音抑制素子の雑音抑制効果のシミュレーション
- C-3-91 半導体光アンプの非線形吸収による光ノイズ除去
- 半導体レーザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 半導体レーザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 半導体レーザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 半導体レｰザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- C-3-76 アシスト光による偏光分離型干渉計光スイッチのパタン効果の低減
- 半導体光増幅器を用いた可飽和吸収動作の高速化
- 外部注入光による誘導放出を用いた超高速可飽和吸収素子の素子長依存性
- 外部注入光による誘導放出を用いた可飽和吸収素子の高速化
- ガスソースMBEによる 0.98μm InGaAs/InGaP DFB レーザの作製
- 透明アシスト光による10Gb/s, SOAベース全光スイッチのパタン効果の低減